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BCR35PNH6327 |
6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | Infineon Technologies | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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BCR35PNH6327参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 说明：TRANS NPN/PNP DGTL 50V SOT363 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）：- 频率 - 转换：150MHz 功率 - 最大：250mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： DC DC ConVE-BWN-IV 标签，标记WP-508127-5-9 芯片电阻 - 表面RC0805FR-0773K2L 评估演示板和套件DC1562A-E 芯片电阻 - 表面MCR18EZHF47R5 钽电容器592D157X9016R2T20H Hard MetrHM2LS25ALF Card EdgeHMM43DSUS USB，IEEE-USB-M26FTO AC DC 桌面、CENB1060A2403N01 |
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